WEKO3
アイテム
Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs
https://saga-u.repo.nii.ac.jp/records/13997
https://saga-u.repo.nii.ac.jp/records/13997c3f789c7-8337-4e52-b19c-a57f2ef5cad2
Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2008-04-01 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | journal article | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
Guo, Q. X
× Guo, Q. X× Okada, A× Kidera, H× Tanaka, T× Nishio, M× Ogawa, H |
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書誌情報 |
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 巻 237/239, 号 2, p. 1032-1036, 発行日 2002 |
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資源タイプ | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 論文(Article) | |||||
資源タイプ・ローカル | ||||||
値 | 雑誌掲載論文 | |||||
資源タイプ・NII | ||||||
値 | Journal Article | |||||
資源タイプ・DCMI | ||||||
値 | text | |||||
資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
値 | 01 |